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  这是一篇关于晶圆切开的问题,主要是我用到的GaAs晶圆,也能应用到InP晶圆等等需求晶面的晶圆上,供我们黄金时代。

  如下图,dies从wafer上切开下来,才干进行下一步的封装,切开线在规划晶圆的时分都有考量。

  晶圆切开的办法有许多种,常见的有砂轮切开,比方disco的设备;激光切开、划刀劈裂法,也有金刚线切开等等。

  这个便是砂轮切开,一般便是切穿晶圆,刀片按照产品挑选,有钢刀、树脂刀等等。

  可是关于激光器芯片来说不能进行激光或许刀片这些直接物理效果的办法来进行切开。

  比方GaAs或许Inp系统的晶圆,做侧发光激光时,要使用到芯片的前后腔面,因此端面一定要坚持润滑,不能有缺点。切GaAs、InP原料具有解离晶面,沿此晶面,主动解离出润滑的晶向面,对发光正派等影响很大。

  一起要确保劈裂方向是彻底沿着晶向方向劈开的,如上图a,假如劈裂斜了就或许会呈现b的现象。

  晶圆减薄至150～100um的厚度,太厚很难切开,因为硬度问题且不一定会沿着晶向方向。一般激光器的晶圆也需求薄一些,太厚体电阻太大。

  5． 取出cell单元,进一步切成bar条,黄色的线就表明一根bar条,分别在赤色前后两头划出一小段沟槽即可。

  6． 划完之后,选用劈裂机劈开,蓝膜在上,cell鄙人,从上往下劈,赤色是预先划的沟槽,因为力的效果,都会先从沟槽开端劈裂。

  7． 劈成bar条之后,因为左右两头有一部分被划伤,是不能用作有用芯片的,因此后期这一部分会被舍掉。因此这一段间隔的芯片一般会做一些其他方面的规划,比方测验电极啊,bar条或许chip命名什么的。

  9． 办法同上,也是先划,后劈,可是激光器侧边不像前后出光反射面,不需求坚持晶向劈裂,因此能从头划到尾。